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아이디어 공모

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주제 초고층 3D NAND 셀 채널 모빌리티 개선
첨부파일    조회수 1037

[개요 및 필요성]

○ 단결정을 사용하는 2D NAND와 달리 3D NAND는 채널 물질로 폴리실리콘을 사용하고 있으며, Grain Boundary에

    의한 저장 증가로 인하여 원하는 수준의 Cell Current 확보가 어려워짐


○ 이를 개선하기 위해 폴리실리콘의 Grain Size를 키우는 방법도 현재 사용되고 있는데, 200층 이상의 초고층 적층 시

    낮아지는 Cell Current의 획기적인 개선을 위하여 새로운 채널 물질 또는 방법이 필요함


[요구조건]

○ 제안서 포함 필요 내용

- Cell Current 개선 방법 제안 시 개선 Mechanism 및 구현 방법

- 새로운 물질 제안 시 개선 Mechanism 및 Thermal 안정성 및 Cross contamination 여부

- 예상 효과 (Cell Current 개선 예상 수준) 및 구체적인 구현 방법

- 제안 아이디어 적용 시에 예상되는 부작용

   (공정 원가 증가, 특수고가 장비 또는 특수 Material 적용 등)

  - 아이디어 검증을 위한 실험 방법 또는 근거 자료


○ 목표 수준 

- 현재의 폴리실리콘 채널대비 Current 개선

- Sub Threshold Swing 개선; Side effect 최소화(Free)


제출 시
주의 사항

[아이디어 제출에 관한 주의 사항]

- 아이디어 제출은 반드시 정해진 제안서 양식으로 작성(5페이지 이하, 용량 10MB 이하)해야 하며,

  해당 양식을 사용하지 않은 제안서는 심사 대상에서 제외됨

- 제안서는 해당 접수 기간 내에 공모전 홈페이지를 통해 제출하고, 접수 기간이 지나 접수된 제안서는 심사에서 제외됨

- 제안서의 파일명은 '주제명_이름.docx/hwp'로 저장(예시:DRAM_DRAM스케일링 한계극복을 위한 기술_홍길동.docx)

- 동일인이 복수 제안 가능함

- 접수 마감 전까지는 홈페이지(나의 접수 내역/수정)에서 수정할 수 있으며, 마감 이후에는 수정 불가함

- 공동 제안자가 있는 경우 '개인정보 이용동의서'를 인쇄하여 서명 후 스캔 파일을 반드시 첨부해야 함

  (개인 단독 참여의 경우는 회원가입 시 개인정보 이용 동의 절차로 갈음함)