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> 아이디어 제안 > 공모주제
제목 C 3D NAND 층별 집적도(Area Density) 증가를 위한 새로운 구조
첨부파일    조회수 1191

[개요 및 필요성]

○ 3D NAND는 2D 대비 Chip Total Density를 크게 향상했으나, 100층 이상 적층 시 증착 및 식각 공정의 난이도

   증가와 함께 공정 시간 및 재료비의 비약적인 증가로 원가 절감 효과가 많이 감소함

○ 현재의 3D NAND는 실질적으로 100nm 이상에 해당하는 큰 Cell Size를 가지고 있고 각 층별 Via 면적 등

   Overhead 증가 따른 어려움을 기본적으로 포함하고 있음

○ 이러한 문제를 해결하기 위해서 각 층당 Bit Density를 올림으로써 적층 수를 낮출 수 있는 새로운 방법 필요함


※ Examples of Published 3D NAND Process Flow

 CTF : http://thememoryguy.com/an-alternative-kind-of-vertical-3d-nand-string/

 Floating gate : http://www.chipworks.com/about-chipworks/overview/blog/intelmicron-detail-their-3d-nand-iedm

 Etc : http://semimd.com/blog/tag/3d-nand/



[요구조건]

○ 제안서 포함 필요 내용

 - 새로운 구조의 2D & 3D NAND Schematic

 - 제안된 구조를 형성하기 위한 기본 Process Flow 제안

 - 기대/예상되는 기타 장점 및 이슈


○ 목표 수준

- 주어진 Die Size 내에서 각 층당 Cell의 Bit Density 실질적 증가

- 또는, 낮은 층수에서 현재의 Bit Density를 만들 수 있는 구조


○ 선정 제외 아이디어

- 기존구조의 단순변형 또는 Industry에서 기 개발 중인 방법


제출 시
주의 사항

[아이디어 제출에 관한 주의 사항]

- 아이디어 제출은 반드시 정해진 제안서 양식으로 작성(5페이지 이하, 용량 10MB 이하)해야 하며,

  해당 양식을 사용하지 않은 제안서는 심사 대상에서 제외됨

- 제안서는 해당 접수 기간 내에 공모전 홈페이지를 통해 제출하고, 접수 기간이 지나 접수된 제안서는 심사에서 제외됨

- 제안서 파일명은 [주제 알파벳(A-H)_제안명.doc, 주제 알파벳(A-H)_제안명.hwp]으로 생성 및 등록 요망

- 동일인이 복수 제안 가능함

- 접수 마감 전까지는 홈페이지(나의 접수 내역/수정)에서 수정할 수 있으며, 마감 이후에는 수정 불가함

- 공동 제안자가 있는 경우 '개인정보 이용동의서'를 인쇄하여 서명 후 스캔 파일을 반드시 첨부해야 함

  (개인 단독 참여의 경우는 회원가입 시 개인정보 이용 동의 절차로 갈음함)